昨日萬(wàn)先生提問(wèn)了關(guān)于多型相變控制技術(shù)是什么？下面一起來(lái)認(rèn)識(shí)一下：

碳化硅常見(jiàn)多型包括4H、6H、15R。15R與4H、15R與6H是晶格失配，易產(chǎn)生裂紋。但是，生長(zhǎng)中包括兩類問(wèn)題：4H晶體生長(zhǎng)，易出現(xiàn)6H、15R雜相；6H晶體生長(zhǎng)，易出現(xiàn)15R雜相。

可能的機(jī)理分析：(0001)面的平面區(qū)過(guò)大，成的SiC層容易采用不同于上一層的堆疊方式，造成c方向堆疊的不延續(xù)，出現(xiàn)隨機(jī)性。降低平面區(qū)大小，形成更多的臺(tái)階，這樣至少短期內(nèi)是沒(méi)有新層出現(xiàn)，或者說(shuō)減少新層同時(shí)出現(xiàn)的區(qū)域。

可能的應(yīng)對(duì)方法：方案1.調(diào)節(jié)氣氛。氮?dú)鈿夥漳軌驑?gòu)筑更多的臺(tái)階；方案2.籽晶處理。（001）晶面偏4°生長(zhǎng)。同樣用于層錯(cuò)控制技術(shù)。

其實(shí)，這里叫做多型相變控制技術(shù)，其實(shí)是從結(jié)果出發(fā)的。

技術(shù)點(diǎn)有兩個(gè)方向：一是關(guān)注可控的事物，一是關(guān)注結(jié)果。改變可控的事物，這就是技術(shù)；而技術(shù)展現(xiàn)后，實(shí)現(xiàn)結(jié)果。這里，也可以拆解為兩個(gè)技術(shù)：氣氛類型控制技術(shù)，以及籽晶方向控制技術(shù)。一般，實(shí)現(xiàn)一個(gè)結(jié)果需要多種技術(shù)的綜合；但是，可能一個(gè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多種需要的結(jié)果。

比如，籽晶的引入，使得Lely法升級(jí)為物理的氣相輸運(yùn)法，開(kāi)創(chuàng)了碳化硅單晶的工業(yè)化。不但擴(kuò)大了碳化硅單晶的尺寸，也增加了碳化硅單晶的質(zhì)量。